分析高纯度化学试剂及其高纯度化学试剂归类

纯净度远远高于优级纯的实验试剂称为高纯试剂。要在通用性化学试剂前提下发展起来，就是为了专门使用目的而用特殊方式制造的纯度高的实验试剂。高纯试剂操纵是指残渣项成分，标准化学试剂操纵是指主成分，基准试剂可以用规范溶液的配制，但高纯试剂不得用于规范溶液的配制（化合物金属氧化物以外）。

现阶段在世界范围内亦无统一的确立规格型号，在我国除对极少数商品建立了行业标准外，绝大多数高纯试剂的质量标准还很不统一，在名字上会有高纯度、超纯、特纯、光谱仪纯、电子器件纯等不一样称呼。一般以 9 来描述新产品的纯净度。因而在规格型号栏招标以 2 个 9 、 3 个 9 、 4 个 9 依此类推，按照这个标准可将高纯物质分成：

残渣总含量不得超过 1.5 × 10 -2 % ，其含量为 3.5 个 9 （ 99.95 ）缩写为 3.5N

残渣总含量不得超过 1.0 × 10 -2 % ，其含量为 4 个 9 （ 99.99 ）缩写为 4.0N

残渣总含量不得超过 1.0 × 10 -3 % ，其含量为 5 个 9 （ 99.999 ）缩写为 5N  

对高纯试剂或高纯度原素纯净度或杂质含量的检验，一般常见原子吸收仪、原子发射光谱、色谱分析、质谱分析比色计化学成分分析等方式进行测定。其阳离子规格型号正常情况下参考实验试剂优等品规范，并没有优等品标准化的产品由生产企业自行制定。根据用途不一样，把高纯试剂又分为几类：

一般离纯实验试剂：就是指一些高纯度化合物金属材料、金属氧化物、金属材料酸盐等，主要用于原子能工业原材料、电子制造原材料、半导体基础材料及，金属单质的金属氧化物、用于配置标液和作为标准物质，此类实验试剂常规定含量在 4N-6N 中间。

洁净电子器件纯实验试剂：超净高纯试剂是集成电路芯片（ IC ）生产制造工艺中的专用化学品，用以单晶硅片清理、光刻技术、浸蚀工序中。

光刻技术高纯试剂：光刻技术是一种表层加工工艺，在半导体电子元器件和集成电路制造中占有重要地位。在表层完成可选择性浸蚀，选用一类具备流平性功效的感光树脂材料作为流平性镀层，称之为抗蚀剂，中国统称光刻技术。依照溶解性不同而将光刻技术分成“负性”光刻技术和“负向”光刻技术，按常用曝出光源和辐射源光源不一样，也可将其分为紫外线、远紫外线、离子束、 X 放射线等光刻技术。

磨打磨抛光高纯试剂：是指用于硅单晶片表层的碾磨和抛光的高纯实验试剂。它也分研磨成粉（三氧化二铝）和磨液（水与除油剂），能碾磨表层做到纳米级尺寸精度。这种实验试剂规定颗粒物粒度分布小（纳米技术），纯度高，金属材料残渣一般要求 2.0 × 10 -4 — 5 × 10 -5 ﹪

液晶屏高纯试剂：液晶屏是一类电子器件化工材料，指的是在一定温度范围内展现处于固体和高效液相间的中间相的有机化合物。它既有液态的流通性也是有晶态的各种各样，有时候人叫其为第四态。